Модуль памяти Samsung 16GB UNB DDR5 5600 DIMM 1Rx8, 1.1V, M323R2GA3DB0-CWM

Характеристики

Серия продукции

M323

Поддержка ECC

On-Die ECC

Форм-фактор

DIMM

Ширина, мм

133.35

Комплект поставки

Модуль памяти

Тип памяти

Unbuffered

Стандарт памяти

DDR5

Объем одного модуля, ГБ

16

Количество модулей в комплекте, шт

1

Суммарный объем, ГБ

16

Эффективная частота, МГц

5600

Пропускная способность, Мб/с

44800

Низкопрофильная

Нет

Количество чипов на модуле, шт

8

Количество контактов

288

CAS Latency (CL)

46

Напряжение питания, В

1.1

Вид поставки

OEM

Количество ранков

1

Наличие радиатора

Нет

Подсветка

Нет

Тип

Модуль памяти

Серия

M323

Модель

M323R2GA3DB0-CWM

Ссылка на описание

https://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m323r2ga3db0-cwm/