Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 SODIMM 4800MHz 1.1V, M425R1GB4BB0-CQK

Характеристики

Поддержка ECC

On-Die ECC

Форм-фактор

SODIMM

Ширина, мм

69.6

Комплект поставки

Модуль памяти

Тип памяти

Unbuffered

Стандарт памяти

DDR5

Объем одного модуля, ГБ

8

Количество модулей в комплекте, шт

1

Суммарный объем, ГБ

8

Эффективная частота, МГц

4800

Пропускная способность, Мб/с

38400

Низкопрофильная

Нет

Количество чипов на модуле, шт

4

Количество контактов

262

CAS Latency (CL)

40

Напряжение питания, В

1.1

Высота, мм

30

Вид поставки

OEM

Количество ранков

1

Наличие радиатора

Нет

Подсветка

Нет

Тип

Модуль памяти

Серия

M425

Модель

M425R1GB4BB0-CQK

Ссылка на описание

https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m425r1gb4bb0-cqk/