Твердотельный накопитель SSD Samsung 1TB M.2 2280 990 PRO MZ-V9P1T0B/AM PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NAND

Характеристики

Серия продукции

990 PRO

Глубина, мм

22

Комплект поставки

Накопитель, документация

Тип памяти

3D V-NAND MLC

Высота, мм

2.3

Назначение

для ноутбуков/компьютеров

Номинальный объем, ГБ

1000

Максимальная скорость чтения, МБ/с

7450

Максимальная скорость записи, МБ/с

6900

Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.

1500

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Интерфейс

PCI-E

Ссылки на публикации

https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/

Энергопотребление при работе, max, Вт

7.8

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

600

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

1200

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

1550

Поддержка NVMe

Да

Ударостойкость

1500G/0.5мс