Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 680 000/800

Характеристики

Позиционирование использования

Desktop

Ширина, мм

2072

Глубина, мм

26937

Комплект поставки

Накопитель, инструкция

Особенности

Интерфейс PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe2.0

Тип памяти

V-NAND TLC

Высота, мм

4751

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Назначение

Desktop

Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)

Да

Номинальный объем, ГБ

1000

Максимальная скорость чтения, МБ/с

5000

Максимальная скорость записи, МБ/с

4200

Тип интерфейса

PCI Express

Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

20

Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

90

Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.

1500

Ударостойкость при хранении, G

1500

Тип комплектации

RTL

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4 w/NVMe

Контроллер

Samsung

Тип буферной памяти

HMB

Ссылка на описание

https://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-1tb-mz-v9e1t0bw/

Энергопотребление при работе, max, Вт

4.9

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

600

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

20

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

90