Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 680 000/800
153613
11 820 ₽
Условия оплаты
Условия доставки
Условия возврата
153613
100 шт.
Характеристики
- Позиционирование использования
- Desktop
- Ширина, мм
- 2072
- Глубина, мм
- 26937
- Комплект поставки
- Накопитель, инструкция
- Особенности
- Интерфейс PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe2.0
- Тип памяти
- V-NAND TLC
- Высота, мм
- 4751
- Тип
- Внутренний твердотельный накопитель
- Назначение
- Desktop
- Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)
- Да
- Номинальный объем, ГБ
- 1000
- Максимальная скорость чтения, МБ/с
- 5000
- Максимальная скорость записи, МБ/с
- 4200
- Тип интерфейса
- PCI Express
- Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
- 20
- Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
- 90
- Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
- 1500
- Ударостойкость при хранении, G
- 1500
- Тип комплектации
- RTL
- Версия PCI-E
- PCIe 4.0 x4 w/NVMe
- Контроллер
- Samsung
- Тип буферной памяти
- HMB
- Ссылка на описание
- https://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-1tb-mz-v9e1t0bw/
- Энергопотребление при работе, max, Вт
- 4.9
- Форм-фактор накопителя
- M.2 2280
- Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
- 600
- Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
- 20
- Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
- 90
Срок гарантии: 1 год