Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800

Характеристики

Серия продукции

990 EVO

Комплект поставки

Твердотельный накопитель, документация

Особенности

PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)

Тип памяти

V-NAND TLC

Высота, мм

22

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Назначение

для ноутбуков/компьютеров

Номинальный объем, ГБ

2048

Максимальная скорость чтения, МБ/с

5000

Максимальная скорость записи, МБ/с

4200

Тип комплектации

RTL

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Интерфейс

PCI-E

Модель

MZ-V9E2T0B/AM

Ссылка на описание

https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-evo-nvme-ssd-2tb-mz-v9e2t0b-am/

Энергопотребление при работе, max, Вт

5.5

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

1200

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

700

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

800

Поддержка NVMe

Да

Версия NVMe

2.0