Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 2TB 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800

Характеристики

Серия продукции

990 EVO

Позиционирование использования

Desktop

Ширина, мм

2072

Глубина, мм

2073

Комплект поставки

Твердотельный накопитель
Твердотельный накопитель, документация (опция)

Тип памяти

V-NAND TLC

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Назначение

Desktop

Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)

Да

Номинальный объем, ГБ

2000

Максимальная скорость чтения, МБ/с

5000

Максимальная скорость записи, МБ/с

4200

Тип интерфейса

PCI Express

Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

700

Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

800

Ударостойкость при работе, G

1500

Ударостойкость при хранении, G

1500

Тип комплектации

RTL

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4 w/NVMe

Тип буферной памяти

HMB

Ссылка на описание

https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-evo-nvme-ssd-2tb-mz-v9e2t0b-am/

Энергопотребление при работе, max, Вт

5.5

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ

1200

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

700

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

800

Поддержка NVMe

Да